MASTERGAN1 අධි බල dens නත්වය අර්ධ පාලම

STMicroelectronics හි අධි බල dens නත්වය අර්ධ පාලම අධි වෝල්ටීයතා ධාවකයට 650 V වැඩි කිරීමේ මාදිලිය GaN HEMT දෙකක් ඇතුළත් වේ

STMicroelectronics හි MASTERGAN1 යනු ලොව 600 V අර්ධ පාලම් ධාවකයක් වන අතර එය GaN HEMT පද්ධතියක් සහිත පැකේජයක් (SiP) සහ MASTERGAN වේදිකාවේ පළමු අංගය වේ. MASTERGAN1 සංයුක්ත වන අතර, ඉහළ බල dens නත්ව බල සැපයුම ක්‍රියාත්මක කිරීමට හැකි වන අතර, මොස්ෆෙට් ස්විචයන් මත පදනම් වූ බල සැපයුමට වඩා හතර ගුණයකින් කුඩා වුවද, GaNs හි ඉහළ මාරුවීමේ සංඛ්‍යාතයට සහ රියදුරු සහ ඉහළ GaN ස්විචයන් දෙකෙහිම ඒකාබද්ධ වීම නිසා පැකේජය. එය ශක්තිමත් බවක් ද ලබා දෙයි. වේගවත්, effective ලදායී සහ ආරක්ෂිත රිය පැදවීම සහ පිරිසැලසුම සරල කිරීම සඳහා නොබැඳි ධාවකය GaN HEMT සඳහා ප්‍රශස්තිකරණය කර ඇත. නුවණැති GaN ස්විචයන් කළමනාකරණය කිරීම දුෂ්කර විය හැකි නමුත් බල සැපයුම් සැලසුම සරල කිරීම සඳහා කාවැද්දූ ධාවක GaN ස්විචයන් කළමනාකරණය කරයි.